Número do Produto do Fabricante:
IRF8010PBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF8010PBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
1428 Pcs Novo Original Em Estoque
12803549
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Mínimo 1
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IRF8010PBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3830 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
260W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF8010
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRF8010PBFINF
*IRF8010PBF
SP001575444
INFIRFIRF8010PBF
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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