Número do Produto do Fabricante:
IQD009N06NM5CGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IQD009N06NM5CGATMA1-DG
Descrição:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventário:
12943341
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IQD009N06NM5CGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
42A (Ta), 445A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.3V @ 163µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TTFN-9-U02
Pacote / Estojo
9-PowerTDFN
Número do produto base
IQD009
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IQD009N06NM5CGATMA1TR
448-IQD009N06NM5CGATMA1CT
448-IQD009N06NM5CGATMA1DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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