Número do Produto do Fabricante:
IPW60R017C7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW60R017C7XKSA1-DG
Descrição:
HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventário:
12803928
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IPW60R017C7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 2.91mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9890 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
446W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-41
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW60R017
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPW60R017C7XKSA1-DG
448-IPW60R017C7XKSA1
SP001313542
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPZ60R017C7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
257
NÚMERO DA PEÇA
IPZ60R017C7XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
14.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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