Número do Produto do Fabricante:
IPP100N08N3GHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP100N08N3GHKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
12805874
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IPP100N08N3GHKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 46µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2410 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP100N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000474188
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SUP70090E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
370
NÚMERO DA PEÇA
SUP70090E-GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N08N3GXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
587
NÚMERO DA PEÇA
IPP100N08N3GXKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
SUP85N10-10-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
384
NÚMERO DA PEÇA
SUP85N10-10-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.88
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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