Número do Produto do Fabricante:
IPN70R1K2P7SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPN70R1K2P7SATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 4.5A (Tc) 6.3W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventário:
1316 Pcs Novo Original Em Estoque
12803459
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPN70R1K2P7SATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 40µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
174 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.3W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
IPN70R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPN70R1K2P7SATMA1TR
SP001664900
IPN70R1K2P7SATMA1-DG
IPN70R1K2P7SATMA1CT
IPN70R1K2P7SATMA1TR
IPN70R1K2P7SATMA1DKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPP08CN10N G
MOSFET N-CH 100V 95A TO220-3
IRF1404L
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
IPI60R520CPAKSA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO262-3