Número do Produto do Fabricante:
IPD25CN10NGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD25CN10NGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
4568 Pcs Novo Original Em Estoque
12803700
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Mínimo 1
h8ZC
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IPD25CN10NGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 39µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD25CN10
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD25CN10NGATMA1CT
INFINFIPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1DKR
SP001127810
IPD25CN10NGATMA1TR
2156-IPD25CN10NGATMA1
IPD25CN10NGATMA1-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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