Número do Produto do Fabricante:
IPA126N10NM3SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPA126N10NM3SXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 39A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventário:
491 Pcs Novo Original Em Estoque
13276451
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IPA126N10NM3SXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™3
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 45µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220 Full Pack
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA126
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPA126N10NM3SXKSA1
SP001953038
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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