Número do Produto do Fabricante:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventário:
344 Pcs Novo Original Em Estoque
12800732
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IMW120R090M1HXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.7V @ 3.7mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
707 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-41
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IMW120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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