Número do Produto do Fabricante:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventário:
12801032
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Mínimo 1
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BSP322PL6327HTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 380µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
372 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4-21
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSP322PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3053
NÚMERO DA PEÇA
BSP322PH6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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