ICE19N60L
Número do Produto do Fabricante:

ICE19N60L

Product Overview

Fabricante:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

ICE19N60L-DG

Descrição:

Superjunction MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount 4-DFN (8x8)

Inventário:

6000 Pcs Novo Original Em Estoque
12992670
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ICE19N60L Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
IceMOS Technology
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
236W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-DFN (8x8)
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
5133-ICE19N60LTR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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