Número do Produto do Fabricante:
GSFU9006
Product Overview
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GSFU9006-DG
Descrição:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 900V,7
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventário:
980 Pcs Novo Original Em Estoque
13229429
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ENVIAR
GSFU9006 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Good Ark Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Empacotamento
Tube
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4786-GSFU9006
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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