Número do Produto do Fabricante:
GC041N65QF
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GC041N65QF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 70A TO-247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247
Inventário:
30 Pcs Novo Original Em Estoque
13002657
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GC041N65QF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7650 pF @ 380 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247
Pacote / Estojo
TO-247-3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GC041N65QF
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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