Número do Produto do Fabricante:
G2012
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2012-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Descrição Detalhada:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
13000381
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G2012 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±10V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G2012TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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