G02P06
Número do Produto do Fabricante:

G02P06

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G02P06-DG

Descrição:

P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventário:

6834 Pcs Novo Original Em Estoque
12986628
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G02P06 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
573 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G02P06CT
4822-G02P06TR
3141-G02P06DKR
3141-G02P06TR
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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