Número do Produto do Fabricante:
DMTH12H007SK3-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMTH12H007SK3-13-DG
Descrição:
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 86A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
12993024
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Mínimo 1
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DMTH12H007SK3-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3142 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
DMTH12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMTH12H007SK3-13
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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