Número do Produto do Fabricante:
DMN2009USS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMN2009USS-13-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 12.1A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-SO
Inventário:
1557 Pcs Novo Original Em Estoque
12891619
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DMN2009USS-13 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.1A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1706 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.4W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base
DMN2009
Informação Adicional
Outros nomes
31-DMN2009USS-13DKR
31-DMN2009USS-13TR
DMN2009USS-13DI
31-DMN2009USS-13CT
DMN2009USS-13DI-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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