Número do Produto do Fabricante:
DMG7N65SCT
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Número da Peça:
DMG7N65SCT-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Inventário:
12883977
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Mínimo 1
Mínimo 1
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DMG7N65SCT Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalagem
-
Série
Automotive, AEC-Q101
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB (Type TH)
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
DMG7N65
Informação Adicional
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80PM
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80PM-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80P
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
299
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80P-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.31
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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